前言
大家好，我是飄雷。
我在之前的轉載VictorTDD大佬的兩篇《零售M.2固態硬盤與OEM型號對照表》中提到過，英睿達Crucial的入門產品P3 Plus，雖然在上市之初搭載了美光N48R
但隨著時間推移，後續版本在顆粒方面有了反向升級，部分500GB和1TB容量的版本中，混用了美光B58R TLC顆粒。
而與此同時，工包店保的英睿達P3 Plus 1TB版在並夕夕和抖音電商之類的平臺上，被一些商家疊加平臺優惠券後賣到了270元左右的價格，這也導致這款SSD一時間在貼吧大火，頗有頂替鎧俠SD10成為新一代性價比吧盤的趨勢。
不過其實有很多朋友不知道，即便升級混用了TLC顆粒，英睿達P3 Plus 1TB這塊盤，也還是被區分為了411固件和413固件兩種版本的。
正好我自己之前測試零刻迷你主機時拆出來過3條英睿達P3 Plus 1TB，上個月為了方便測試，又在抖音買了一條全新工包零售版，正好湊齊了QLC和兩種TLC方案。
那麼今天我們就來詳細討論關於英睿達P3 Plus 1TB的以下幾個問題：
1.如何區分的QLC與TLC版本？
2.TLC版的411與413固件有何區別？真值得無腦衝嗎？
3.在選購時有哪些注意事項？
4.TLC版的性能表現究竟如何？
一、如何區分英睿達P3 Plus的QLC與TLC版本
由於英睿達P3 Plus這款SSD存在顆粒混用的情況，所以大家入手肯定是奔著想買TLC顆粒而來的，這一節我們就先分享5個區分QLC與TLC版本的方法（僅針對1TB容量版本）。
以我在抖音入手的工包版為例，商家發貨過來時是這種沒有官方紙盒的塑封袋包裝，一旦撕開就不方便無理由退貨了。不過即便如此，我們也能比較輕鬆地在上機前判斷自己收到的是不是TLC顆粒版本。
1.尾端檢修孔
下圖左側兩條是兩種固件的TLC顆粒版本，而最右側是早期的QLC顆粒版本。可以明顯看到，TLC版的英睿達P3 Plus在尾端右側有4個並排的檢修孔，和QLC顆粒版本有明顯的區別，這也是最簡單的判斷方法之一：
2.標籤貼紙
除了觀察尾部檢修孔，我們還可以通過標籤貼紙來在不通電上機的情況下輔助鑑定。
下圖中，上邊兩塊是TLC版，可以看到產地為馬來西亞（PRODUCT OF MALAYSIA），同時在固件（FW)這一行，分別顯示P9CR413和P9CR411，這也是開頭所說的，同樣採用B58R TLC顆粒的情況下，這塊盤也有413和411兩種初始固件版本。
而最下方一條QLC顆粒的版本區別就比較明顯了，首先產地是墨西哥（ASSEMBLED IN MEXICO)，另外固件的命名也和TLC版41X的規律不一樣，顯示為P9CR40A。
3.PCB佈局
將貼紙撕開後對比，可以看到QLC與TLC版本在PCB佈局方面也有明顯差異。
最上方的QLC版本，銀色E21主控位於PCB中間，兩側各有一枚閃存顆粒，同時還空餘了兩個顆粒焊位。
而下方兩條TLC版本，都是隻在尾部有一枚閃存顆粒，E21主控位於另一頭，同時B58R TLC顆粒由於有更高的存儲密度（232層堆疊 vs QLC版的176層堆疊），在面積上也要比容量減半的QLC顆粒明顯更小。
知道了這個特徵，我們在不撕下貼紙的情況下也可以判斷了，只要用手捏捏盤體中央有沒有主控芯片，或者從貼紙側面透光看看顆粒和主控的佈局，就能輕鬆鑑定。
4.撕開貼紙看顆粒編號
如果還想進一步確定顆粒的話，在撕下貼紙後（可能會丟失質保，不建議）的前提下，可以看到閃存顆粒上有美光的編號。比如下圖左側兩個TLC顆粒的編號為別為NY244和NY340，而右側QLC顆粒的編號為NY161。
使用bing或者百度搜索“Micron FBGA and component marking decoder ”，這是美光提供的封裝編號查詢頁面，我們可以在其中輸入自己的顆粒編號，進行查詢。
以最左側的NY244顆粒為例，查詢結果如下圖所示，零件號Part Number為MT29F8T08EQLCHL5-QB:C：
接下來我們對照美光的這張編號命名規則表，可以看到，上圖中紅色箭頭標註的這個字母”E“，代表的就是TLC顆粒。
5.通電後用flashid查看
由於撕下貼紙可能會導致失去保修，所以還是不建議大家用這麼麻煩的方法了，使用群聯主控的flashid來檢測也能達到一樣的效果。
flashid的官網在這裡，注意下載針對群聯E1主控的版本：
使用flashid查看，411和413兩種固件版本均能直接顯示出使用了232L的美光B58R顆粒，同時還明晃晃的標出來TLC字樣。
而QLC版本的結果如下，也是能顯示出，使用了176L的美光N48R QLC顆粒：
二、411與413兩種固件的TLC版本，有何區別？
1.奇怪的PE次數
一開始這個問題我也沒注意，直到我在貼吧看到有老哥反饋說TLC版的英睿達P3 Plus有兩種固件，才想起來詳細研究一下這個問題。
首先，在flashid中，兩種固件版本的顯示結果是不一樣的，最大的區別在於，411固件版在PE Cycle Limit一欄顯示為60000/3000。
一般來講，這表示在模擬SLC（pSLC）狀態狀態下，閃存顆粒的耐寫次數為6萬次，在正常TLC狀態下為3000次，是很正常的TLC顆粒的PE次數。
而在413固件版中，PE Cycle Limit一欄顯示為60000/1000，這就一下子讓人摸不著頭腦了，因為1000次PE已經屬於是QLC顆粒的耐寫次數了，明顯太低。而且最弔詭的是，在Endurance一欄和411版本一樣，同樣顯示3000。
2.是固件版本不同導致的嗎？
遇到這個問題，首先我想到的是，有沒有一種可能，413固件是由411固件升級而來，是固件預寫入的信息導致flashid結果不同？
所以我給411固件的這塊英睿達P3 Plus 1TB插上臺式機，然後用英睿達官方的Storage Executive工具嘗試更新固件，然而顯示411固件已經是最新了。
又不信邪，把413固件的那快盤同樣試了試，也顯示為最新固件：
那麼暫時就可以得出一個結論：英睿達P3 Plus的411固件與413固件並非迭代升級的關係，二者應當是各不同屬的獨立固件。
3.刨根究底
從固件方向沒有走通，接下來我嘗試從閃存顆粒編號上來找出這種PE層數不同的原因。
上圖中，左側為411固件，NAND顆粒編號為NY244，在美光官方查詢後的零件號為MT29F8T08EQLCHL5-QB:C；
右側為413固件，NAND顆粒編號為NY340，在美光官方查詢後的零件號為MT29F8T08EQLCHL5-QU:C；
二者只有末尾兩位不同，一為QB，一為QU，所以再次詳細對比美光的編號命名規則：
在紅圈框出的地方可以看到，QB代表著顆粒等級為Performance QB Grade；而QU一欄則代表Removable QU Grade，是針對U盤、PSSD等可移動設備的等級，沒有Performance（性能）的標識。
然後根據經驗來講，一般體質較差的顆粒才會給負載不高的可移動設備用，所以基本可以得出一個猜測：
413固件版的英睿達P3 Plus 1TB，是因為使用了等級更低的降級片，才導致PE次數下降到了QLC顆粒類似的1000次水準。
在這個指標下，考慮寫入放大係數，那其實從QLC版沿襲下來的220TBW/1TB其實也不怎麼算低估了，就是正常的標準。
換句話說，大家如果買到TLC顆粒的版本也不要站起來蹬得太狠，如果是413固件的話，那實際寫入壽命可能還是和QLC版差不多的水平。
三、TLC版的英睿達P3 Plus 1TB，性能表現如何？
早在兩年前，我就測試過QLC版本的英睿達P3 Plus 2TB，當時那塊盤糟糕的緩外寫入速度至今給我留下了深刻印象。
然而時過境遷，目前這塊盤升級為TLC顆粒後，性能方面又有什麼樣的變化？我決定還得自己測一測才能心裡有數。
看了一下，貼吧內大部分老哥買到的都是413固件，所以本次就用我剛從抖音買到的全新工包413固件來測試吧。
測試平臺：
CPU：intel i9-14900K
主板：AORUS Z790 MASTER X
內存：佰維 DX100 DDR5-6800 16GB X2
SSD：西部數據SN850X 2TB（系統盤）
系統：Windows11 專業版 23H2、Ubuntu 24.04 LTS
1.S.M.A.R.T信息
首先看一眼S.M.A.R.T信息，抖音買來的工包全新盤上機後確實是0通電0寫入的：
進一步查看更多的S.M.A.R.T信息，整塊SSD只有一枚溫度傳感器，警告溫度83℃，溫度牆85℃，同時功耗挺低，最大功耗只有5.5W：
2.消費級基礎負載測試
接著來看CrystalDiskMark的測試結果，表現完全達到官宣標稱的性能，尤其SLC Cache內的QD1 4K隨機讀取性能達到了95MB/s，挺好的。
3DMark存儲基準測試得分4506，這個倒是真的出乎我意料的高：
PCMARK 10的完整系統盤基準測試得分4179，真的也是表現很強了。
SPECworkstation 3.1的存儲測試總分為35.32分，有一說一比聯芸MAP1602方案的消費級SSD得分要高。。。
3.深入向探索測試
使用Q32T1 128K的參數，在RAW格式下看一眼全盤讀寫曲線，如下圖所示：
從曲線圖中可以明顯看得出來，這塊盤不是貼吧懂哥口胡的全盤模擬方案：
空盤狀態下SLC Cache容量在65GB左右，應對超大容量的瞬時高負載寫入可能會遇到降速情況。
在SLC Cache耗盡後，立刻進入TLC直寫階段，直寫速度為1660MB/s左右。
第二段TLC直寫到145GB左右時，開始進入第三段的WriteBack階段，此時開始回收SLC Cache，速度來到了最低值，平均在380MB/s左右。
SLC Cache回收的速度相當快，很快又回到了TLC直寫階段，速度回升到平均1600MB/s以上。
在整理出全盤讀寫圖後我發現了一個問題，這塊盤在RAW格式下的順序讀取速度竟然達到了平均6600MB/s以上，遠超官方給出的5000MB/s的標準，也比我自己在CrystalDiskMark中測試的結果要高得多。
一開始以為是Txbench軟件bug問題，隨後我嘗試在Windows平臺使用IOMeter、FIO，以及在Ubuntu使用FIO進行多次複測，每次都還是一樣的結果，這真的讓人百思不得其解。
按理說雖然B58R顆粒性能著實強勁，但是群聯E21主控只支持1600MT/s來著，實在搞不懂為何會出現這種情況，評論區有知道這個答案的大佬還請幫忙解惑。
另外，我在對這塊盤進行兩遍全盤順序寫入填充後測試了SLC Cache緩外的QD1 4K隨機讀寫，測得平均速度是37.61MB/s左右，也比兩年前測試的QLC版本強得太多了。
綜合來看，考慮到300元不到的價格，TLC版的英睿達P3 Plus 1TB在空盤情況下的性能表現堪稱相當優異，反正我自己是挑不出啥毛病。
不過需要注意的是，看到這裡也不能說萬事大吉了啊。
因為時間關係，我沒有對這塊盤進行高容量佔用下的二次複測，目前還不確定在接近滿盤時的性能下降幅度。主要是因為這類測試需要提前填充數據，而預填充數據的碎片化程度會在很大程度上影響複測結果，導致這個測試項目很難實現量化。
而根據pilipili主包HOMOLAB的測試結果來看，這塊盤在75%滿盤時的性能下降幅度會有點兒大啊，PCMark 10之類軟件的分數下降幅度超過了30%，說明美光在固件方面依然還是有很大的提升餘地。
總結
以上就是本期關於TLC版英睿達P3 Plus 1TB的全部討論內容了，感謝大家看到這裡，現在讓我們來簡單總結一下吧。
1.這塊盤目前混用了QLC和TLC顆粒，不過TLC版本相當好鑑別，部分賣家也承諾包TLC，基本不用擔心貨不對板。
2.即便是同為TLC顆粒，這塊盤也分為411固件和413固件版本，二者flashid顯示的NAND顆粒PE次數不同，顆粒等級也有可能不同，如果能選擇的話，最好還是買411固件的版本。
根據貼吧曬單反饋來看，最近在抖音或者並夕夕入手的大多是413固件的版本，而在京東自營平臺，有老哥多花幾十塊錢摸到了411固件的版本，不確定是否是個例.
另外還有吧友說，現在已經有商家能包2TB的TLC版本了？不太確定是否屬實，真要買2TB還是去京東摸獎得了，畢竟保修靠譜- -！
3.即便是顆粒等級可能更低的413固件的版本，在空盤下性能表現也確實相當亮眼，是正常的TLC SSD的水平。
4.但是需要注意，這塊盤在高佔用下性能下降幅度可能比較明顯，另外413固件版本的實際寫入壽命有可能只是QLC顆粒的水準，大家寫起來悠著點兒，可別站起來蹬昂，你就按官方的TBW，當它是一塊TLC性能、QLC壽命的盤來用就行。