據媒體報道，在加利福尼亞州聖何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會上，三星公佈了最新的半導體芯片工藝路線圖。
三星宣佈將在2025年量產2nm芯片，計劃在2027年量產1.4nm芯片，其中三星的2nm工藝佈局了多個節點，第一代2nm工藝是SF2，後續三星又佈局了
據悉，三星第一代2nm工藝SF2將於明年準備就緒，最先進的2nm工藝節點SF2Z將於2027年量產商用，它採用先進的後端供電網絡（BSPDN）技術，可以提高電源效率。
值得注意的是，三星2nm工藝進一步完善了多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）架構，具有獨特的外延和集成工藝，與基於FinFET的工藝技術相比，晶體管性能提升了11%-46%，可變性降低26%，同時漏電降低約50%。
值得注意的是，在今年2月，三星宣佈與Arm展開合作，提供基於最新的GAA晶體管技術，優化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核，儘可能地提高了性能和效率。
文章來源: 快科技