在前幾天給大家介紹過給ROG Ally X無縫加裝WD_BLACK SN7100的教程。
相比肯定有不少人對這塊硬盤的詳細性能好奇，所以今天來一起測測看吧。
由於固態硬盤外觀都差不多，咱們還是直接來看料件吧。
WD_BLACK SN7100採用DRAM-Less 無緩設計，硬盤正面只有主控和NAND顆粒，外加一顆電源管理芯片
其中主控採用閃迪 Polaris 3，基於TSMC 16nm工藝打造，型號為A101-000172-A1，支持NVME 2.0和PCIe4.0 × 4
NAND顆粒同樣來自閃迪，料號為：022644 1T00。為閃迪最新的216層3D TLC NAND顆粒。
PMIC電源控制芯片絲印為228060B。除此之外硬盤背面沒有任何料件信息。
打開CDI查看硬盤數據，可以看到硬盤運行在PCIe4.0X4的速度上，並支持NVME 2.0。在室溫25度環境下，硬盤待機為35°C。
首先進行CDM測試，可以看到這塊WD_BLACK SN7100的順序讀寫輸入來到了7133MB/s，而4K讀取速度也來到了125MB/s，這個4K速度表現十分優秀，比一些PCIe5.0的旗艦都要好一些。
而在更接近日常的7讀3寫測試中，4KQ1T1速度也了138MB/s，表現非常優秀。
當然，CDM都是圖一樂，日常使用都不會跑到這麼高的速度上。
在3DMark遊戲加載測試中，WD_BLACK SN7100拿下4408分的成績，表現優秀。
觀察子項可以看到在遊戲加載測試中的平均存取時間只有41ns。
將硬盤填到70%髒盤，模擬日常使用一段時間後的表現，此時3DMark成績略有下降，從4408下降至4011，下降程度約為10%。此時平均存取時間也來到了45ns，在無緩硬盤中屬於不錯的表現
考慮到有些小夥伴的系統盤需求，緊接著我又測試了PCMark10的完全系統盤模擬。
在空盤狀態下WD_BLACK SN7100表現不錯，同樣取得了和3DMark測試時成績也是4088分，平均存取時間38ns。
在將硬盤填至70%髒盤後，PCMark10的測試成績略有下降，來到3800分。所以可以看出WD_BLACK SN7100的成績會隨著硬盤佔用而變動，平均存取時間也下降了一些。
除了遊戲加載和系統盤需求，這次西數重點宣傳了電源管理控制相比上代降低100%。
這裡我使用外置M.2功耗測試卡配合CDM順序讀寫，測試硬盤極限功耗。
可以看到在硬盤空載時，功耗僅為1W。而在CDM Q32T1循序讀寫滿載後，硬盤功耗也沒有超過4W。表現還是不錯的。
最後在Linux下測試128K Q8T1滿盤測試，可以看到WD_BLACK SN7100在前55s都能維持6900MB/s的速度，SLC Cache大小約為380G。
隨後進入WireBack階段，此時散點圖表現並不理想，有較大波動，速度在1300-300MB/s波動，不過在20分鐘後進入TLC直寫階段，此時速度恢復到1750MB/s並直至測試完成都非常穩定。
我們重點關注一下溫度情況，考慮到這塊硬盤的主要應用場合還是在遊戲中，因此我這裡記錄了3DMark存儲測試過程中的硬盤主控&顆粒溫度。
可以看到在測試全程這塊WD_BLACK SN7100的表現都不錯，顆粒料溫度控制在40°以內，主控溫度稍高，但也沒有超過60度，始終在50°C左右之間波動。這樣的溫度表現，即使加裝在筆記本中，相信溫度也會不錯。
以上就是關於西數黑盤WD_BLACK SN7100的測試情況。
可以看到，得益於閃迪的最新216層TLC NAND，實現了單顆粒1TB的同時發熱情況也控制的非常良好。同時性能表現也很不錯，3DMark和PCMark10的測試成績在PCIe4.0硬盤中也處於佼佼者。
但由於SLC Cache策略原因，導致在出緩後的WB階段不夠穩定，不建議作為高頻率讀寫盤使用。
建議作為加裝筆記本從盤，或是遊戲盤會比較好。
以上就是本篇文章的所有內容，我是悠哉平澤唯，下篇再見。