Intel官方宣佈，3nm級別的新工藝Intel 3已經在美國俄勒岡州、愛爾蘭的兩座晶圓廠內投入大規模量產，用於最近發佈的至強6能效核版本Sierra Forest，以及即將發佈的至強6性能核版本Granite Ridge。
Intel 3工藝相當於酷睿Ultra上使用的Intel 4工藝的升級加強版，但只會用在需要頂級性能的數據中心至強產品線，也就是至強6這一代，同時開放對外代工。
酷睿產品線不會用它，Intel 4之後直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要發佈的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交給臺積電代工，核心計算模塊使用臺積電N3B 3nm，平臺控制模塊使用臺積電N6 6nm。
Intel之前曾公開表示，Intel 3相比於Intel 4邏輯縮微縮小了約10％(可以理解為晶體管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)則提升了17％。
Intel 3的主要變化有：
－ EUV極紫外光刻的運用更加嫻熟，在更多生產工序中使用EUV。
－ 引入更高密度的設計庫，提升晶體管驅動電流，並通過減少通孔電阻，優化互連技術堆棧。
－ 產量提升更快。
未來，Intel還將推出Intel 3的多個演化版本，滿足客戶的多樣化需求。
－ Intel 3-T：引入採用硅通孔技術，針對3D堆疊進行優化；
－ Intel 3-E：擴展更多功能，比如射頻、電壓調整等；
－ Intel 3-PT：增加硅通孔技術的同時，實現至少5%的性能提升。
文章來源: 快科技