內存顆粒版本判斷方法和編號解析（三星、美光、海力士）
codeyuri
2019年04月24日 20:21
因為昨天chh看到一個人還在用土辦法去判斷美光顆粒版本加上前面B站也有人問我怎麼去判斷內存顆粒版本使用今天就抽空寫一下。
1. 三星
三星官方命名文件如下：
實例：
第一行：“SEC 843”重要信息為843代表內存顆粒生產日期
第二行：“K4A4G08”重要信息為4G08代表內存顆粒容量和位寬(AG代表容量為16Gb)
第三行：“5WT BCTD”重要信息為T、TD，T代表顆粒版本我這個就是T-DIE。TD代表內存頻率和時序，TD為 2666 C19、RC為2400 C17、PB為2133 C15.
第四行：角標 目前不知道有何定義，到時有時間去研究下
三星顆粒編號對應頻率時序表：
三星目前個人已知的顆粒（有些顆粒我都沒有見到實物）： A-DIE（16Gb、32Gb）、B-DIE（8Gb、16Gb）、C-DIE（8Gb）、D-DIE（4Gb、8Gb）、E-DIE（4Gb）、F-DIE（4Gb）、M-DIE(16GB)、S-DIE（4Gb、8Gb）、T-DIE（4Gb）
目前未在正規內存廠發現三星的ett顆粒（可認為是白片）
2. 美光
美光顆粒打標官方定義文件
實例：
第一行：“7UE75”，7U代表顆粒生產事件7代表17年U代表42周（實際是U在26個英文字母是21位21*2=42），E代表顆粒版本即為E-DIE，75分別代表顆粒生產地和封裝地，7為臺灣5為中國大陸。
第二行：“D9VPP”美光的FBGA碼裡面含有更多的顆粒信息需通過美光查詢系統來解碼，網址：https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga
美光顆粒命名規則
實例：MT40A1G8SA-075:E FBGA碼：D9VPP
重要信息：40代表為DDR4，A為電壓，1G8代表顆粒容量和位寬1G8是8Gb 8bit、512M16是8Gb 16bit，075代表頻率和時序 075為2666 C19、083為2400 C17、093E為2133 C15，E顆粒版本E-DIE
美光編號和頻率時序對應表：
實際上用查FBGA碼來判斷美光顆粒版本是比較土的~
美光目前個人已知顆粒（有些顆粒我都沒有見到實物）：A-DIE（4Gb、8Gb、16Gb）、B-DIE（4Gb、8Gb、16Gb、32Gb）、D-DIE（8Gb、16Gb）、E-DIE（4Gb8Gb、16Gb、32Gb）、F-DIE（4Gb）、G-DIE（4Gb）罕見、H-DIE（8Gb）、J-DIE（8Gb）
美光的白片——spectek判斷方法
一般的spectek（大S）顆粒上面也有些編碼，
實例：
編號：PS029-093 TP
PS029這個編碼和美光FBGA碼類似也可以在官網查詢得知信息
網址：https://www.spectek.com/menus/mark_code.aspx
Spectek顆粒命名規則
例子：SUU512M16Z11BD8LY
重要信息：512M16和美光一樣代表顆粒容量和位寬，Z11B核心代號（美光的）可通過核心代號來確認顆粒版本
美光核心代號與顆粒版本對應關係
所以我這個顆粒是E-DIE
093代表2133 c16
Spectek編號與頻率時序表
TP代表顆粒質量等級
3. 海力士
海力士官方命名文件：
實例：
第二行編號：“H5AN8G8NCJR”重要信息8G8代表顆粒容量8Gb和位寬8bit，C代表顆粒版本C-DIE
第三行編號：”VKC 829A”重要信息VK代表頻率和時序。829代表生產日期。
海力士編號和頻率時序對應表
第四行：角標 可能有某些關係
實際上我們常說的AFR、CJR、MFR不嚴謹實際上只有第一位代表顆粒版本，第二位代表的是封裝類型，第三位也沒啥有意義的東西。
海力士目前個人已知的顆粒（個人已經見過大部分）：A-DIE（4Gb、8Gb、16Gb）常見的是AFR，B-DIE（4Gb）我見過BJR比較少見，C-DIE（8Gb、16Gb）常見與大名鼎鼎的CJR，M-DIE（4Gb、8Gb、16Gb）常見的是MFR,
海力士白片判斷方法——角標判斷法
很多的海力士白片顆粒的內存都打上內存品牌的logo無法看出是什麼顆粒，只能依靠颱風軟件識別，不過很可惜颱風軟件識別是有問題的。在研究海力士顆粒的角標時我發現海力士顆粒角標可能有部分代表了顆粒版本。研究了幾百顆海力士顆粒後我總結出了一些規律，不過還是強調下這只是個人總結官方並沒有說明有這個方法！
海力士角標在顆粒最下面一行：
角標：DTBMJTS0W93
研究發現海力士角標前四位極有可能代表顆粒版本：
不過這不是官方的所以僅供參考！
如果有錯誤歡迎各位大佬指出。